• MDT10F684

    概述1.0 器件概述 存储器:FLASH 空间:2K*14 位。可经受 10 万次写操作。EEPROM 空间:256 字节。可经受 100 万次写操作。SRAM 空间:128 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置具有独立方向控制的 14 个 I/O 引脚:PA 口 6 个、PC 口 8个。高灌/拉电流可直接驱动 LED。PA 端口引脚电平变化中断。PA 端口独立的可编程弱上拉。

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  • MDT10F73

    概述1. 概述本 IC 是 8 位元 FLASH 單晶片,採用完全靜態CMOS 技術設計,集高速、體積小、省電和高抗干擾性一體的晶片,記憶體包括 4K*14 程式ROM 和 192*8 靜態 RAM,及 256*8 的 EEPROM。2. 特點以下是關於軟硬體方面的一些特性:◆8 位元設計單晶片,完全 CMOS 靜態設計◆程式 ROM 大小:4K,14 位指令長度◆內部 RAM 大小:192 BY

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  • MDT10F685

    概述 存储器:FLASH 空间:4K*14 位。可经受 10 万次写操作。EEPROM 空间:256 字节。可经受 100 万次写操作。SRAM 空间:256 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置具有独立方向控制的 22 个 I/O 引脚:PA 口 6 个、PB 口 8个、PC 口 8 个。高灌/拉电流可直接驱动 LED。PA 端口引脚电平变化中断。PA 端口独立的可编程弱上拉。

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  • MDT10F686

    概述 存储器:MTP 空间:2K*14 位。可经受 1000 次写操作。SRAM 空间:128 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置具有独立方向控制的 11 个 I/O 引脚:PA 口 5 个、PC 口 6个。一个只能作输入的 PA3 口。高灌/拉电流可直接驱动 LED。PA 端口引脚电平变化中断。PA、PC 端口独立的可编程弱上拉。 定时器Timer0:带 8 位可编程预分频

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  • MDT10F1823

    概述 存储器:MTP 空间:2K*14 位。可经受 1000 次写操作。SRAM 空间:128 字节。 单片机特性• 上电复位(Power-on Reset,POR)、上电延时定时器( Power-up Timer, PWRT)和振荡器起振定时器(OscillatorStart-up Timer , OST)• 可编程欠压复位(Programmable Brown-out Reset ,

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  • MDT10F696

    MDT10F696概述1 器件概述 存储器: MTP 空间:2K*14 位。可经受 1000 次写操作。 SRAM 空间:128 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置 具有独立方向控制的 14 个 I/O 引脚:PA 口 5 个、PC 口 8 个。 PA3 开漏输出,带内部上拉。 高灌/拉电流可直接驱动 LED。 PA 端口引脚电平变化中断。 PA、PC 端口独立的可编程弱上拉/下拉

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  • 10F003

    概述 内 核  1T 8051内核,兼容标准8051指令集  内核最高工作频率 16MHz  存 储  8K字节MAIN FLASH程序存储器,支 持IAP(应用中自编程)功能(IAP操 作时CPU暂停运行)  512字节DATA FLASH数据存储器,支 持IAP(应用中自编程)功能(IAP操 作时CPU暂停运行)  核内256字节SRAM,核外768字节 SRAM  复

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  • MDT10P716

    MDT10P716概述1. General DescriptionThis EPROM-Based 8-bit micro-controller uses afully static CMOS technology process to achievehigher speed and smaller size with the low powerconsumption and high noise

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